Infineon saksøker Innoscience for patentkrenkelse

Les også:

Infineon kjøper GaN Systems

Det de søker er permanent forføyning for brudd på et amerikansk patent knyttet til galliumnitrid (GaN)-teknologi som eies av Infineon etter kjøpet av GaN Systems i oktober 2023. Patentkravene dekker kjerneaspekter av GaN krafthalvledere som omfatter innovasjoner som ligger bak påliteligheten og ytelsen til Infineons proprietære GaN-komponenter. Søksmålet er registert i tingretten i Central District of California.

Infineon hevder at Innoscience krenker Infineon-patentet ved å lage, bruke, selge, tilby å selge og/eller importere til USA forskjellige produkter, inkludert GaN-transistorer for en rekke bruksområder; bilindustri, datasentre, solenergi, motordrivere og forbrukerelektronikk.

– Produksjon av krafttransistorer basert på galliumnitrid krever helt nye halvlederdesigner og -prosesser, sier Adam White, president for Infineons Power & Sensor Systems Division. – Å beskytte våre immaterielle eiendommer er ekstremt viktig for oss. Derfor handler vi for interessene til alle kunder og sluttbrukere.

Infineons GaN-patentportefølje omfatter rundt 350 patentfamilier. Markedsanalytikere forventer at markedet for GaN brukt i kraftapplikasjoner vil vokse med 49 % CAGR til ca. 2 milliarder dollar innen 2028 (kilde: Yole, Power SiC og GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023).