Kraftelektronikk
Infineon kjøper GaN Systems
Infineon Technologies AG og GaN Systems Inc. kunngjorde i går kveld at selskapene har signert en endelig avtale hvor Infineon vil kjøpe GaN Systems for 830 millioner dollar.
GaN Systems er en global teknologileder innen utvikling av
GaN-baserte løsninger for kraftkonvertering. Selskapet har hovedkontor i
Ottawa, Canada, og har mer enn 200 ansatte.
– Det planlagte oppkjøpet av GaN Systems vil akselerere GaN-veikartet vårt betydelig, basert på uovertruffne FoU-ressurser, applikasjonsforståelse og eksisterende kundeprosjekter. Etter vår strategi vil kombinasjonen ytterligere styrke Infineons lederskap innen kraftsystemer gjennom mestring av alle relevante kraftteknologier, det være seg på silisium, silisiumkarbid eller galliumnitrid, sier Jochen Hanebeck, administrerende direktør i Infineon.
– GaN Systems-teamet er begeistret for å slå seg sammen med Infineon for å skape svært differensierende kundetilbud, basert på å bringe sammen komplementære styrker. Med vår felles ekspertise på å tilby ledende løsninger, vil vi optimalt utnytte potensialet til GaN. Kombinasjonen av GaN Systems produksjonsleverandører (foundry) med Infineons interne produksjonskapasitet gir muligheter til å betjene den akselererende bruken av GaN i et bredt spekter av våre målmarkeder. Jeg er veldig stolt av det GaN Systems har oppnådd så langt og ser fram til å bidra til å skrive neste kapittel sammen med Infineon. Som en integrert komponentprodusent med bred teknologikapasitet, gjør Infineon oss i stand til å utløse vårt fulle potensial, sier Jim Witham, administrerende direktør i GaN Systems i en felles pressemelding.
Som et materiale med bredt båndgap har GaN høyere effekttetthet og høyere effektivitet over mindre størrelser, spesielt ved høyere svitsjefrekvenser. Disse egenskapene muliggjør energibesparelser og mindre formfaktorer, noe som gjør GaN egnet for et bredt spekter av bruksområder.
Innen 2027 forventer markedsanalytikere at GaN for kraftapplikasjoner ha en årlig vekstrate på 56 % til ca. 2 milliarder dollar (kilde: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Som sådan blir GaN et nøkkelmateriale for krafthalvledere, sammen med silisium og silisiumkarbid, og kombinert med nye topologier, som Hybrid Flyback og flerlagsimplementeringer. I februar 2022 kunngjorde Infineon en dobling av brede båndgap ved å investere mer enn 2 milliarder euro i en ny frontend-fabrikk i Kulim, Malaysia. De første skivene vil forlate fabrikken i andre halvdel av 2024, og bidra til Infineons eksisterende produksjonskapasitet i Villach, Østerrike.
Det planlagte oppkjøpet vil bli finansiert fra eksisterende likviditet. Transaksjonen er underlagt vanlige sluttbetingelser, inkludert myndighetsgodkjenninger.