Energieffektive GaN MOSFETs Nye kraft-MOSFETs fra Navitas skal blant annet gjøre datasentre i stand til å oppnå den nyeste 80 PLUS Ruby sertifiseringen.
100-150 V toppkjølte GaN-transistorer Nye 100-150V toppkjølte GaN krafttransistorer fra Innoscience skal redusere overgangstemperaturen med 25 %
Ny generasjon GaN-komponenter Infineon lanserer ny generasjon diskrete GaN-baserte kraftkomponenter med det de hevder er overlegen effektivitet og effekttetthet.
Infineon saksøker Innoscience for patentkrenkelse Infineon Technologies leverte i dag et søksmål, gjennom datterselskapet Infineon Technologies Austria AG, mot Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Innoscience America og tilknyttede selskaper.
