Miniatyrisering med 100 V MOSFET

Toshiba Electronics Europe GmbH har lansert en ny 100V N-kanal kraft-MOSFET basert på selskapets nyeste U-MOSX-H prosess.

Den nye komponenten skal være egnet for utfordrende applikasjoner, som svitsjede strømforsyninger for datasentre og basestasjoner, samt industriell bruk.

Den nye enheten med betegnelsen TPH3R10AQM er designet for effektiv drift og oppnår en verdi på bare 3,1 mΩ (maks.) for den viktige drain-source på-motstanden (RDS(ON)). Dette representerer en betydelig forbedring på 16 % i forhold til Toshibas nåværende 100V-produkt (TPH3R70APL) som bruker den etablerte prosessen.

Enheten tilbyr en drain-source-spenning (VDSS) på 100V og en drainstrøm (ID)-kapasitet på opptil 120A. Den lave gatesvitsjeladningen (QSW) skal øke effektiviteten i høyfrekvensapplikasjoner, mens den forhøyede maksimale kanaltemperaturen (Tch) på 175°C reduserer behovet for termisk styring, og reduserer dermed størrelsen og kostnadene til sluttutstyr.

Den nye MOSFETen har dessuten fått utvidet sitt sikre operasjonsområde (SOA) med 76 % sammenlignet med den tidligere generasjonen, noe som skal gjøre den egnet for drift i lineær modus. Denne forbedringen forbedrer egnetheten og ytelsen i hot swap-kretser betydelig. Videre, siden gateterskelspenningsområdet er 2,5V til 3,5V, er enheten mindre utsatt for falsk trigging.

Utskiping starter umiddelbart, opplyser selskapet.