GaN-kretser i TOLT-pakke

Navitas Semiconductor påberoper seg å være det eneste rendyrkede, neste generasjons krafthalvlederselskap og industrileder innen galliumnitrid (GaN) kraft-ICer og silisiumkarbid (SiC)-teknologi. De melder nå at deres høyeffekts GaNSafe-familie er tilgjengelig i en TOLT-pakke (Transistor Outline Leaded Top-side Cooling).

GaNSafe-familien er spesielt utformet for å betjene krevende applikasjoner med høy effekt, som AI-datasentre, sol-/energilagring og industrielle markeder. Navitas 4. generasjon komponenter integrerer styring, kjøring, sensing og kritiske beskyttelsesfunksjoner som muliggjør pålitelighet og robusthet.

GaNSafe hevdes sågar å være verdens sikreste GaN med kortslutningsbeskyttelse (350ns maks forsinkelse), 2kV ESD-beskyttelse på alle pinner, eliminering av negativ gate-drift og programmerbar svinghastighetskontroll. Alle disse funksjonene styres med 4 pinner, slik at pakken kan behandles som en diskret GaN FET, som ikke krever noen VCC-pinne.

TOLT-pakken skal forbedre termisk dissipering gjennom oversiden av pakken, slik at varmen kan ledes direkte til kjøleribben (ikke gjennom kretskortet). Dette muliggjør reduksjon av driftstemperatur og øker strømkapasiteten.

– Med over 200 millioner enheter utskipet og levert med 20 års garanti, har Navitas' høyt integrerte høyeffekts GaNSafe ICer vist seg å levere ytelse og pålitelighet samtidig som de forenkler design-in for systemer opp til 22kW, sier Charles Bailley, direktør for forretningsutvikling.

Den 650 V GaNSafe i TOLT-pakke skal være egnet for bruksområder fra 1 kW til 22 kW, og er tilgjengelig med en rekke RDS(ON)MAX fra 25 til 98 mΩ.