Krafthalvledere
Verdens første: 300 mm GaN-skiver
Infineon i front med verdens første 300 mm kraft-galliumnitrid (GaN)-teknologi – endrer spillet, hevder selskapet.
Infineon Technologies AG kunngjorde i dag at selskapet har lykkes med å utvikle verdens første 300 mm galliumnitrid (GaN) skiveteknologi for krafthalvledere. Det har de gjort på eksisterende storskala silisiumlinjer. Videre hevder de at de er det første selskapet i verden som mestrer denne banebrytende teknologien i et eksisterende og skalerbart produksjonsmiljø med høyt volum.
Gjennombruddet vil bidra betydelig til å drive markedet for GaN-baserte krafthalvledere. Brikkeproduksjon på 300 mm skiver (wafere) er teknologisk mer avansert og betydelig mer effektiv sammenlignet med 200 mm skiver, siden den større skivediameteren gir 2,3 ganger flere brikker per skive. På sikt kan det drive prisen for GaN ned på silisiumnivå, mener selskapet.
– Dette teknologiske gjennombruddet vil være en bransjeskifter og gjøre oss i stand til å frigjøre det fulle potensialet til galliumnitrid, sier Jochen Hanebeck, administrerende direktør i Infineon Technologies AG. – Mindre enn ett år etter oppkjøpet av GaN Systems viser vi igjen at vi er fast bestemt på å være ledende i det raskt voksende GaN-markedet. Som en leder innen kraftsystemer mestrer Infineon alle de tre relevante materialene: silisium, silisiumkarbid og galliumnitrid, poengterer han.
