Kraftelektronikk:

Stor stas under åpningen av K3 i Malaysia, med statsministeren til stede.

Åpner verdens største SiC-fabrikk

Infineon åpner verdens største og – etter eget utsagn – mest effektive SiC krafthalvlederfabrikk i Malaysia.

Publisert

Som svar på den økende etterspørselen etter krafthalvledere, har Infineon Technologies AG offisielt åpnet den første fasen av en ny fabrikk i Malaysia som vil bli verdens største og mest konkurransedyktige 200-millimeter silisiumkarbid (SiC) ) krafthalvlederfab.

Den malaysiske statsministeren Anwar Ibrahim og sjefsministeren i delstaten Kedah Haji Muhammad Sanusi Haji Mohd Nor sluttet seg til Infineon-sjef Jochen Hanebeck, for symbolsk å starte produksjonen.

Den svært effektive 200 millimeter SiC-fabrikken vil ventelig styrke Infineons rolle som den globale lederen innen krafthalvledere. Den første fasen av fabrikken, med et investeringsvolum på to milliarder euro, vil fokusere på produksjon av krafthalvledere av silisiumkarbid og vil inkludere galliumnitrid (GaN) epitaksi.

SiC-halvledere har revolusjonert høyeffektapplikasjoner fordi de svitsjer strøm enda mer effektivt og muliggjør enda mindre design. SiC-halvledere øker effektiviteten i elektriske kjøretøy, hurtigladestasjoner og tog samt fornybare energisystemer og AI-datasentre.

900 arbeidsplasser skal skapes allerede i første fase. Den andre fasen, med en investering på opptil fem milliarder euro, vil skape verdens største og mest effektive 200-millimeter SiC kraftfabrikk. Totalt vil det skapes opptil 4.000 arbeidsplasser med prosjektet.

Infineon hevder å ha sikret designvinns med en total verdi på omtrent fem milliarder euro og har mottatt omtrent én milliard euro i forhåndsbetalinger fra eksisterende og nye kunder for den pågående utvidelsen av Kulim 3-fabrikken. Spesielt inkluderer disse designvinnene seks OEMer i bilindustrien samt kunder innen fornybar energi- og industrielle segment.

Kulim 3 vil være nært knyttet til Infineon-anlegget i Villach, Østerrike, Infineons globale kompetansesenter for krafthalvledere. Infineon har allerede økt kapasiteten for SiC- og GaN-krafthalvledere i Villach i 2023. Som "One Virtual Fab" for teknologier med brede båndgap deler begge produksjonsstedene nå teknologier og prosesser som muliggjør rask oppramping og jevn og svært effektiv drift, heter det.

 

Powered by Labrador CMS