Kraftelektronikk:

En IQE-tekniker holder en episkive produsert av selskapet

GaN-plattform for fabrikkløse selskaper

IQE og X-FAB samarbeider om å utvikle en markedsklar plattform for GaN kraftkomponenter, med en skalerbar, outsourcet produksjonsmodell.

Publisert

IQE plc, som leverer sammensatte halvlederprodukter og avanserte materialløsninger, og and X-FAB Silicon Foundries SE, en ledende smie for analog/blandet signal og spesialkomponenter, kunngjør en Joint Development Agreement (JDA) for å skape en GaN Power-plattformbasert GaN kraftkomponentløsning. 

Gjennom et innledende toårig prosjekt, vil IQE og X-FAB samarbeide om å utvikle en 650V GaN-komponent. Avtalen vil utnytte IQEs GaN epitaksidesign- og prosessekspertise, sammen med X-FABs velprøvde teknologiutviklings- og produksjonskapasitet for å tilby en optimalisert teknologi-/substratkombinasjon for bil-, datasenter- og forbrukerapplikasjoner.

Ifølge de to selskapene vil dette samarbeidet vil gi fabrikkløse halvlederbedrifter en ledende, hyllevare GaN-plattform som kan akselerere deres innovasjonssykluser og time-to-market. Teknologien vil også tjene som grunnlag for fremtidig produktutvikling, og strekker seg utover 650V for å møte den økende markedsetterspørselen etter kraftelektronikk.

– Vi er glade for å slå oss sammen med X-FAB for å utvikle en GaN kraftsmieløsning i verdensklasse i Europa, som gir valgmuligheter innen outsourcing for våre fabrikkløse kunder. Med utgangspunkt i vår GaN-epitaksiekspertise og nylige investeringer i ytterligere GaN reaktorkapasitet, er denne avtalen i tråd med vår diversifiseringsstrategi for GaN, øker vår rekkevidde, og setter fart på kundenes time-to-market for GaN Power-applikasjoner, sier Jutta Meier, fungerende administrerende direktør og finansdirektør i IQE.

– Ved å kombinere vår langvarige ekspertise innen produksjon av GaN-komponenter og desigforbedringer med IQEs ledende posisjon innen epitaksi, skaper vi en unik, nøkkelferdig GaN kraft-plattform, forklarer Jörg Doblaski, teknologisjef i X-FAB. – I tillegg til vår eksisterende GaN-teknologi, gir dette samarbeidet et overbevisende alternativ til eksisterende forsyningskjedemodeller og styrker Europas posisjon innen neste generasjons krafthalvlederteknologi, understreker Doblaski.

 

 

Powered by Labrador CMS