Robust 950 V MOSFET
Infineon lanserer 950 V CoolMOS PFD7 familie med integrert «fast body diode», for belysning og SMPS.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
For å imøtekomme markedets behov for kompakte formfaktorer og energieffektive produkter har Infineon Technologies tatt frem den nye CoolMOS PFD7 familien med høyspennings MOSFET. Serien setter ifølge produsenten en ny referanse i klassen med sin 950 V superjunction (SJ) teknologi.
Den nye 950 V serien har blant annet en integrert rask kapslingsdiode som skal sikre en robust komponent og reduserte matieralkostnader. Produktene retter seg i hovedsak mot belysningssystemer, samt forbruker- og industriorienterte SMPS (svitsjede strømforsyninger).
De nye produktene skal være egnet for flyback-, PFC- og LLC/LCC-design, inkludert halv- eller helbro konfigurasjoner som gjør kommutering robust og pålitelig. Ved å integrere en ultrarask kapslingsdiode med ultralav reverseringslading (Q rr), tilbyr de hard kommuteringsrobusthet og pålitelighet. Dette skal gjøre den til den mest robuste SJ MOSFET i denne spenningsklassen, og muliggjør bruk på tvers av alle topologier i de målrettede applikasjonene, heter det.
I tillegg forbedres svitsjetap (E OSS, Q OSS og Q g) effektiviteten i hard- og myksvitsjede applikasjoner betydelig, og resulterer i opptil 4°K lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med 900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET.
De nye produktene skal videre forbedre lav- og fulbelastet PFC-effektivitet med mer enn 0,2 prosent samtidig som de matcher ytelsen med hensyn til LLC-effektivitet.
