Fortsetter GaN-samarbeid - Elektronikknett
infineon_panasonic_GaN

Fortsetter GaN-samarbeid

Infineon og Panasonic har blitt enige om utvide tidligere samarbeid. Planen er å slippe 650V HEMT på 8-tommers silisiumskiver innen to år.

Infineon og Panasonic har signert en avtale om å utvikle og produsere andre generasjon GaN-transistorer. Dette er såkalte GaN-on-silisium-transistorer.

Selskapene legger særlig vekt på to detaljer i den nye avtalen. Det ene er at de tar steget opp til 8-tommers silisiumskiver, noe som gir større volumer og kostnadseffektive transistorer. Det andre er at det er en 650V HEMT-arkitektur, som selskapene hevder er det markedet krever.

Fra tidligere samarbeid er selskapenes første vanlige GaN-generasjon på 600V kjent hos Infineon under navnet CoolGaN og hos Panasonic som X-GaN. Den er basert på et transistordesign som normalt er slått av, såkalt normal-off. Neste generasjon vil også være basert på tilsvarende transistordesign.

Planen er at de nye 650V GaN-transistorene skal nå markedet i løpet av første halvdel av 2023.

Kommentarer