En liten kraftpakke
ST Microelectronics har lansert en krets som integrerer to asymmetriske GaN-transistorer, hver med en optimalisert driver.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Denne løsningen er klart mindre, lettere og mer effektiv enn dagens silisiumalternativer, hevder selskapet.
Dette er en første enhet i en ny familie kalt MasterGaN2. Her finner vi to 650 V GaN-transistorer sammen med RDS (on) på henholdsvis 150 mohm og 225 mohm. Begge er såkalte «normalt av» og sammenkoblet med sin egen optimaliserte portdriver. Alt er innkapslet i en 9 x 9 x 1 mm GQFN.
Ifølge ST er det enkelt for designere å kombinere nykommeren med for eksempel Hall-sensorer, DSPer, FPGAer og forskjellige kontrollkretser. Inngangene kan håndtere logiske signaler fra 3,3V til 15V.
Ifølge selskapet passer kretsen godt i USB-PD-adaptere eller ladere for smarttelefoner. Her tilbys en løsning som ifølge ST er opptil 80 prosent mindre og 70 prosent lettere, mens den lades tre ganger raskere enn dagens silisiumalternativer.