En liten kraftpakke - Elektronikknett
MasterGaN2_N4320D

En liten kraftpakke

ST Microelectronics har lansert en krets som integrerer to asymmetriske GaN-transistorer, hver med en optimalisert driver.

Denne løsningen er klart mindre, lettere og mer effektiv enn dagens silisiumalternativer, hevder selskapet.

Dette er en første enhet i en ny familie kalt MasterGaN2. Her finner vi to 650 V GaN-transistorer sammen med RDS (on) på henholdsvis 150 mohm og 225 mohm. Begge er såkalte «normalt av» og sammenkoblet med sin egen optimaliserte portdriver. Alt er innkapslet i en 9 x 9 x 1 mm GQFN.

Ifølge ST er det enkelt for designere å kombinere nykommeren med for eksempel Hall-sensorer, DSPer, FPGAer og forskjellige kontrollkretser. Inngangene kan håndtere logiske signaler fra 3,3V til 15V.

Ifølge selskapet passer kretsen godt i USB-PD-adaptere eller ladere for smarttelefoner. Her tilbys en løsning som ifølge ST er opptil 80 prosent mindre og 70 prosent lettere, mens den lades tre ganger raskere enn dagens silisiumalternativer.

Kommentarer