Sikrere MOSFETs
Nexperias nye applikasjonsspesifikke MOSFETs (ASFETs) for hot-swap skal øke SOA med 166% og kutter kortarealet med 80%.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Halvlederprodusenten Nexperia kommer nå med nye 80 V og 100 V ASFETs med forbedret SOA ytelse, rettet mot hot-swap og mykstartsapplikasjoner, f.eks. innen 5G telekomsystemer og 48 V servermiljø, samt industrielt utstyr der det trengs elektroniske sikringer og batteribeskyttelse.
ASFETs er en ny type MOSFET som er optimalisert for bruk i spesielle designsammenhenger. Ved å fokusere på spesifikke parametere som er viktige for en applikasjon, noen ganger på bekostning av andre som er mindre viktige i det samme designet, er det mulig å oppnå høyere ytelse, ifølge produsenten. De nye komponentene bruker en kombinasjon av Nexperias nyeste silisiumteknologi og kobberklipspakke for å styrke Safe Operating Area (SOA) og redusere plassen den opptar på kortet.
Tidligere har MOSFETs vært utsatt for den såkalte Spirito-effekten, der SOA-ytelsen synker raskt, grunnet termisk ustabilitet ved høyere spenninger. Nexperias robuste og forbedrete SOA-teknologi skal eliminere «Spirito-knekken» og forbedre SOA med 166 % ved 50 V, sammenlignet med tidligere generasjoner i D2PAK.
Et annet viktig fremskritt er at man har tatt med SOA-karakteristikker ved 125 °C i databladet, mens SOA tradisjonelt blir spesifisert ved 25 °C.
De nye PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) og PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) hot-swap ASFETs er pakket i den Power-SO8 kompatible LFPAK56E.
