SiC for AC-DC flybackomformere
Det amerikanske selskapet UnitedSiC lanserer nå en JFET familie i silisiumkarbid (SiC) for blant annet lavspennings AC-DC flybackomformere.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Under Applied Power Electronics Conference (APEC) i Anaheim denne uken lanserer UnitedSiC, en serie JFET-kretser i silisiumkarbid (SiC) som skal være egnet for å kunne pakkes sammen med en styrekrets med innebygd lavspennings MOSFET, for demed å kunne produsere ”ekstremt raske” kaskodebaserte 20-100 W flybackprodukter.
Kaskode eller cascode er for øvrig en slags totrinns forsterker som består av et felles-emitter trinn som mater et felles-base trinn.
Med spenningsområde fra 650 V til 1700 V, vil disse SiC JFETene muliggjøre enklere implementering med null standbydissipering, og skal være egnet for det store markedet for flyback AC-DC applikasjoner, inkludert forbrukerrettede adaptere og eksterne kraftforsyninger.
IC-produsenter kan blant annet dra nytte av de små brikkestørrelsene med svært lave RDS(ON) og kapasitanser. JFETene, som er normalt ”på”, skal bidra til å møte forskrifter til lett- og lastfri dissipering når de koples til lavspennings MOSFETs med lav Qg, integrert i styre-ICen.
SiC kaskoder regnes som svært robuste, på grunn av den naturlige evnen til SiC JFET når det gjelder å håndtere repeterende spenningsras og kortslutninger. Ettersom SiC JFETen er i serie med den lavspennings MOSFETen i styrekretsen, stiger kildesignalet til normalt-”på” JFETen til 12 V før JFETen slås av og ICen begynner å svitsje. Denne strømflyten gjennom JFETen kan benyttes som en oppstartsforsyning til styre-ICen. En hjelpeforsyning fra omformertransformatoren blir så ledet inn når omformeren begynner å kjøre, uten ytterligere dissipering.
