Ny produksjonsklar SiC fra Microchip - Elektronikknett
Microchip-DPM_SiC

Ny produksjonsklar SiC fra Microchip

Microchip, via datterselskapet Microsemi, har startet produksjon av en ny familie med silisiumkarbid (SiC)-baserte kraftkomponenter.

SiC-komponentene blir den del av en økende familie med SiC-produkter. Disse produktene møter behovene for å forbedre systemeffektiviteten, robustheten og effekttettheten i elektriske kjøretøy (EV) og andre høyeffektapplikasjoner innenfor industri-, luftfarts- og forsvarsmarkedene, heter det i meldingen fra Microchip.

Microchips 700V SiC MOSFETs og 700V og 1200V SiC Schottky barrieredioder (SBD) innlemmes nå i eksisterende portefølje av SiC kraftmoduler.

De nye SiC MOSFETene og SBDer tilbyr mer effektiv svitsjing ved høyere frekvenser, og passerer robusthetstester på nivåer som er betraktet som kritiske for å kunne garantere langsiktig pålitelighet. I følge selskapet yter disse omkring 20 prosent bedre enn andre SiC dioder i uklampede induktive svitsjetester (Unclamped Inductive Switching – UIS) som måler hvor godt komponentene tåler degradering eller tidlig feil på grunn av lavineeffekt, en tilstand som oppstår når en spenningstopp overstiger komponentens gjennombruddsspenning. Microchips SiC MOSFET skal ha god skjerming av portoksidering og kanalintegritet med lite degradering i parameterne over levetiden, selv etter 100.000 sykluser med repeterende UIS (RUIS) testing.

Den utvidete SiC-porteføljen er støttet av et utvalg av SiC SPICE modeller, referansekort for SiC driverkort, og et effektfaktorkorrigerings- (Power Factor Correction - PFC) Vienna referansedesign. Samtlige av selskapets  SiC-produkter er tilgjengelige i produksjonsvolumer, sammen med tilhørende støttetilbud. Et utvalg av kjerne- og pakkeopsjoner er tilgjengelige for både SiC MOSFETer og SiC dioder.

Kommentarer