Energigjerrig flashteknologi for energihøsting

Det er Renesas Electronics Corporation som i dag lanserer utvikling av en ny laveffekt teknologi for bruk i innvevde flashminner, basert på en 65 nanometer (nm) SOTB (Silicon On Thin Buried Oxide) prosess.

Med en tilgjengelig minnekapasitet på 1,5 MB, er dette ifølge Renesas verdens første innvevde 2T-MONOS (2 Transistors-Metal Oxide Nitride Oxide Silicon) flashminne basert på 65nm SOTB teknologi.

Med en ny kretsteknologi som skal redusere energiforbruket i periferikretsene på flashminnet, hevder Renesas å oppnå leseenergi helt ned til 0,22 picojoule per bit (pJ/bit) ved en driftsfrekvens på 64 MHz.

Den nyutviklede laveffektteknologien for periferikretser består av kretsteknologi som for det første reduserer energiforbruket ved detektering av data i minnet, men som også reduserer mengden overføringsenergi som brukes når lesedata sendes til en ekstern destinasjon.

Renesas presenterte disse resultatene for første gang i dag, under Symposia on VLSI Technology and Circuits i Kyoto, Japan (9.-14. Juni 2019).

Den nye SOTB-baserte teknologien er allerede blitt implementert i den innvevde kontrolleren Renesas R7F0E, som er spesielt tiltenkt energihøstingsapplikasjoner. Teknologien skal redusere energiforbruket dramatisk, både i aktiv og standby-tilstand, hevdes det.

Tidligere har gjerne lavt energiforbruk i den ene tilstanden gått ut over energiforbruket i den andre, og omvendt.

Sammenlignet med 2T-MONOS flashminner som ikke er bygget i SOTB, og som krever en minnelesestrøm på rundt 50 µA/MHz, er lesestrømmen nå redusert til rundt 6 µA/MHz. Noe som tilsvarer et energinivå for lesing på 0,22 pJ/bit, ett av de laveste for innvevd flashminne på en MCU. Når det gjelder R70E, har teknologien bidratt til en lav-aktiv lesestrøm på µA/MHz, noe som fortsatt er blant de beste på markedet, melder Renesas.