Ny minneløsning fra Toshiba - Elektronikknett
TME035_XL-FLASH

Ny minneløsning fra Toshiba

XL-FLASH er navnet på en ny minneløsning som i dag lanseres av Toshiba Memory Europe. De kaller det «Storage Class Memory» (SCM) og er basert på selskapets BiCS FLASH 3D-flashminneteknologi med 1 bit-per-celle (SLC – Single Level Cell).

Klassifisert som SCM (eller vedvarende minne), der innholdet beholdes på tilsvarende måte som NAND-flashminne, fyller XL-FLASH ytelsesgapet mellom DRAM og NAND. Mens flyktige minneløsninger som DRAM gir tilgangshastigheten som kreves av krevende applikasjoner, kommer ytelsen til en høy pris. Ettersom kostnaden per bit og skalerbarheten til DRAM utjevnes, adresserer det nye SCM-laget dette problemet med høytetthets, kostnadseffektiv, ikke-flyktig NAND-flashminneløsning, heter det.

Industrianalyserfirmaet IDC estimerer at SCM-markedet vil nå over 3 milliarder dollar i 2022 .

Når den sitter mellom DRAM og NAND flash, gir XL-FLASH økt hastighet, redusert latenstid og høyere lagringskapasitet – til en lavere pris enn tradisjonell DRAM, sier Toshiba. XL-FLASH vil initielt bli levert i et SSD-format, men kan utvides til minnekanaltilkoblede enheter som sitter på DRAM-bussen, for eksempel fremtidige industristandard ikke-flyktige dual in-line minnemoduler (NVDIMM).

Nøkkelegenskaper

  • 128 gigabit (Gb) «die» (i en 2-die, 4-die eller 8-die-pakke)
  • 4 kB sidestørrelse for mer effektiv operativsystembasert les og skriv
  • 16-plan arkitektur for mer effektiv parallellitet
  • Rask sidelesing og programtider. XL-FLASH gir en lesetid på mindre enn 5 mikrosekunder, omtrent 10 ganger raskere enn eksisterende TLC (Triple Level Cell).

Prøveleveranser starter i september 2019, og volumproduksjon forventes å starte i 2020.

Kommentarer