Effektive kraft-MOSFETs - Elektronikknett
AUG19-RUT-ST-PowerMOSFETs

Effektive kraft-MOSFETs

Nye, “ekstremt effektive” kraft-MOSFETs fra STMicroelectronics er nå tilgjengelige fra lager, melder Rutronik.

De nye MDmesh M6 høyspennings super-junction MOSFETs fra STMicroelectronics skal tilby forbedret effektfaktorkorreksjon (PFC) og LLC-effektivitet, spesielt ved lette lastforhold, med tanke på økt effekttetthet.

Ved å kombinere lav gate-ladning (Qg), en optimalisert kapasitansprofil, forbedret effektivitet ved lette laster og høye svitsjefrekvenser, skal disse produktene danne referanse for resonante topologier, hevder produsenten.

I tillegg til gode svitsjeegenskaper for ”hard” svitsjing, skal MOSFETene også kunne tilby forbedret myk svitsjing, ved hjelp av optimalisert terskelspenning.

STs M6 super-junction teknologi skal bidra til å redusere på- motstand (RDS(ON)) til kun 0,036 ohm, og dermed åpne for ekstra effektivitetsgevinster og økt effekttetthet i utstyr som batteriladere, kraftforsyninger, LED-belysning, kraftforsyninger til telekom og servere, solcelleinvertere med mer.