Infineon starter produksjon av CoolGaN

De viktigste fordelene med galliumnitrid (GaN) er blant annet høy effekttetthet, best effektivitet og reduserte systemkostnader, sier selskapet i en melding. Tekniske prøver av GaN-løsningen skal være tilgjengelige nå. På PCIM 2018 presenterer Infineon CoolGaN-produkter for løsninger innen telekom, adaptre, trådløs lading og serverløsninger.

– Infineon er verdensledende innen kraftløsninger, og vi tror virkelig at neste store ting i strømstyring er galliumnitrid, sier Steffen Metzger, seniordirektør High Voltage Conversion hos Infineon. – Vårt mål er å være førstevalg når det gjelder GaN kraftkomponenter, og vi har alt på plass for å leve opp til denne ambisjonen. Markedet for GaN har vokst raskt; fordelene med å bruke denne teknologien i visse applikasjoner er tydelige. Fra driftskostnad og reduksjon av kapitalutgifter, gjennom høyere krafttetthet som muliggjør mindre og lettere design, til total kostnadsreduksjon.

Infineon hevder at CoolGaN er den mest pålitelige og globalt kvalifiserte GaN-løsningen i markedet. Under kvalitetsstyringsprosessen blir ikke bare enheten testet, men også hvordan den oppfører seg i en applikasjon. Ved 100 ppm (deler per million) er den forventede levetiden ca. 55 år, og overskrider forventet levetid med 40 år. CoolGaN kan for eksempel doble utgangseffekten i en gitt energilagringssporstørrelse, noe som frigjør plass og samtidig gir høyere effektivitet.

Full produksjon av CoolGaN 400 V og 600 V e-modus HEMT starter innen utgangen av 2018. CoolGaN 400 V vil være tilgjengelig i 70 mΩ for overflatemontering med nedre side avkjølt TO og toppkjølt DSO-20-87 pakke. CoolGaN 600 V kommer i toppkjølt DSO-20-87 pakke og nedre side kjølt DSO-20-85. Med 70 mΩ og 190 mΩ 600V CoolGaN-enheter i nedre side avkjølt TO og DFN 8x8-pakker, vil 600V CoolGaN-porteføljen bli komplettert, heter det.