Går for både GaN og SiC - Elektronikknett
Rohm-SiC

Går for både GaN og SiC

Samme dag som Rohm lufter planer om utvidet kapasitet for produksjon av SiC, varsler de strategisk samarbeid med GaN Systems. 

Gjennom et strategisk samarbeid tar man sikte på å utnytte GaN Systems’ ledende rolle innen GaN (gallium arsenid) krafttransistorer og Rohms omfattende aktiviteter innen halvledere og ressurser innen design og produksjon av elektroniske komponenter.

De to selskapene er blitt enige om å utvikle form-, tilpasnings- og funksjonskompatible produkter med bruk av GaN-halvlederbrikker både i GaN Systems’ GaNPX pakketeknologi og Rohms tradisjonelle krafthalvlederpakker.

Kundene vil dermed få to mulige kilder for pakkekompatible GaN-baserte svitsjer, og dermed det bredeste utvalget av GaN-komponenter med flere kilder.

Samtidig skal Rohm i gang med å sette opp en bygning ved Apollo-fabrikken i Chikugo, Japan, for å kunne øke produksjonskapasiteten for silisiumkarbid (SiC) halvledere. Dette for å møte en økende etterspørsel, ifølge selskapet. 

Markedsnalytikere forventer at det globale SiC-markedet skal passere 1 milliard dollar-merket innen 2021. Størstedelen vil trolig gå til kraftforsyningsanvendelser, som kraftomformere, batteriladere for elbiler, og utstyr i kraftnettet. Imidlertid vil også hovedinvertere i elektriske kjøretøy også kunne representere en betydelig del av markedspotensialet for SiC-komponenter.

Rohm startet masseproduksjon av SiC-komponenter som Schottky dioder og MOSFETs allerede i 2010. I tillegg hevder de å ha vært den første leverandøren som produserte komplette SiC-baserte kraftmoduler og SiC trench MOSFETs. 

Selskapet tar nå sikte på en topplassering når det gjelder markedsandeler for SiC-skiver og komponenter. Den nye, tre-etasjers bygningen ved Apollo-fabrikken vil øke produksjonsarealet med omkring 11.000m². Den skal stå ferdig mot slutten av 2020.