Vil være først ut med monolittisk microLED

Plessey Semiconductor lanserer i dag en strategi for å være først på markdet med en monolittisk microLED skjerm basert på GaN-on-Silicon. 

Selskapet har også iverksatt et omfattende lisensieringsprogram for å lisensiere ut deres GaN-on-Silicon ekspertise til microLED-produsenter i tråd med deres nye strategi for å bli optoelektronikkindustriens fremste leverandør av teknologiplattformer, som det heter i en pressemelding.

Etterspørselen etter microLED-skjermer øker raskt; konsulentselskapet Yole Développement anslår at markedet kan nå 330 millioner enheter innen 2025. Ifølge Plessey er GaN-on-Silicon den eneste teknologiplattformen som er i stand til å håndtere alle utfordringene knyttet til produksjon av microLED-skjermer i høye volumer og kosteffektivt.  

En av hovedutfordringene med å produsere microLED skjermer med ikke-monolittiske metoder er plassering av LED-brikker på et CMOS bakplan, i dag oppnådd med bruk av pick & place utstyr. Dette innbefatter individuell plassering av hver eneste LED på en lederbredde mindre enn 50μm, noe som krever nytt og kostbart utstyr, som igjen er utsatt for produktivitetsproblemer. Ettersom pikseltettheten til skjermer øker og lederbredden reduseres, blir pick & place mindre og mindre anvendelig, både kommersielt og teknisk.

Overgang til en monolittisk prosess vil eliminere behovet for montering av alle disse brikkene, og vil muliggjøre mindre skjermer med høyere oppløsning. Disse kan være aktuelle i mange anvendelser, som virtuell virkelighet (VR), datastøttet virkelighet (AR), og head-up skjermer.