Bedre USB-PD beskyttelse - Elektronikknett
Nexperia_TVS diode visual_1_7x5-inch_LR

Bedre USB-PD beskyttelse

Nexperia utvider sin familie med beskyttelseskretser, i form av tre nye TVS diodefamilier.

Nexperia, som er den tidligere Standard Products divisjonen i NXP, lanserer i dag tre TVS miniatyrdiodefamilier. De leveres i plassbesparende pakker egnet for bruk i bærbare enheter, blant annt som USB-PD (USB – Power Delivery) beskyttelse.

Alle de nye komponentene vil kunne tåle høye effektpulser. 

– Vi er allerede den ledende leverandøren av ESD-beskyttelseskreter, og med lanseringen av disse nye produktene i små, pinneløse pakker, har vi styrket vår TVS-portefølje til å egne seg for nye mobilapplikasjoner som USB PD, kommenterer produktansvarlig Henning Riedel, Nexperia.

Med bare 1 x 0.6 mm (DFN1006-2/SOD882 pakke) areal og en høyde på 0.5 mm, skal den nye PTVS4V5D1BL TVS dioden levere gode clampingkarakteristikker og en typisk strømrobusthet på 38.3 A (8/20 µA puls). Anvendelser kan f.eks. være i beskyttelse av batterikretser og lydporter. 

Den nye PTVSxZ1USK serien omfatter ti nye typer med revers standoff spenningsområde fra 5 V til 26 V (VRWM). Disse måler 1.6 x 0.8 mm og er 0.29 mm høye (DSN1608-2 / SOD964 pakke). Disse kan håndtere overstrømmer på opp til 100 A (8/20 µA puls). De har også en svært lav dynamisk motstand på 0.06Ω. Anvendelser kan være overstrømbeskyttelse i laderporter, batteritilkoplinger og harddisker/SSD.

Tre nye 20 V, 22 V og 24 V komponenter utfyller Nexperias PTVSxU1UPA TVS familie, som nå omfatter ni dioder, som dekker 7.5 V til 26 V. Komponentene kommer i DFN2020-3 (SOT1061) pakken, med fotavtrykk på 2 x 2 mm og profil på kun 0.62 mm. Overstrømsspesifikasjonene går opp til maks 178 A for en 8/20 µA puls; maks pulseffekt er opp til 300 W for 10/1000 µs puls og lekkasjestrøm er ned til 1 nA.