Samarbeider om SiC MOSFETs - Elektronikknett
Dual SiC referansedesign-analog-Microsemi

Samarbeider om SiC MOSFETs

Microsemi og Analog Devices samarbeider nå om skalerbare SiC MOSFET driverløsninger, for å få fart på kundedesign.

Microsemi og Analog Devices, Inc. Lanserer i fellesskap et skalerbart silisiumkarbid (SiC) driver-referansedesign, basert på et utvalg av Microsemi SiC MOSFET produkter og Analog Devices ADuM4135 5KV isolerte gatedriver. Det doble SiC MOSFET driverdesignet skal gi brukervennlige retningslinjer for design og samtidig åpne for raskere time-to-market for kunder som benytter SiC MOSFETs fra Microsemi, og støtter overgang til Microsemis neste generasjon SiC MOSFETs.

Det nye referansedesignet utgjør en godt isolert SiC MOSFET basert to-port driversvitsj, som skal gjøre det mulig å evaluere SiC MOSFETs i forskjellige topologier. Dette inkluderer modus som er optimalisert for halvbro-svitsjing med synkron dødtidsbeskyttelse, og asynkron signaloverføring uten beskyttelse.

Det skal også kunne konfigureres for å ivareta samtidig styring med behov for å studere uklampet induktiv svitsjing (UIS) eller dobbel pulstesting.

Det doble SiC MOSFET referansedesignet skal være egnet for et stort spekter av sluttmarkeder og –applikasjoner, inkludert luftfart (aktuering, klimaanlegg og kraftdistribusjon), biler (omformerkretser i hybrid/elektrisk, batteriladere, DC/DC-omformere, energigjenvinning), forsvar (kraftforsyninger og motorstyringer), industri (solcelleinvertere, motorstyringer, sveising,  avbruddsfri strømforsyning, svitsjede strømforsyninger, induksjonsvarme og oljeboring) samt medisin (strømforsyning til MRI og røntgen).