128GB DDR4 moduler i produksjon

Samsung Electronics Co., Ltd., melder i dag at de er i gang med masseproduksjon av industriens første  TSV (through silicon via) DDR4-minner i 128-gigabyte (GB) moduler. Produktene er i første omgang rettet mot servere og datasentre. Men på sikt vil det komme lignende produkter for høyhastighetssystemer og forbrukerelektronikk.

Etter Samsungs introduksjon av verdens første tredimensjonale TSV DDR4 DRAM (64GB) i 2014, markerer selskapets nye TSV registered dual inline memory module (RDIMM) en  ny milepæl, som åpner for minner med ultrahøy kapasitet for bedriftsmarkedet.

Den 128GB store TSV DDR4 RDIMMen er bygget opp av totalt 144 DDR4 brikker, arrangert i 36 4GB DRAM pakker, hver med fire 20-nanometer (nm)-baserte 8GB brikker satt sammen med avansert TSV pakketeknologi.

I konvensjonelle brikkemoduler forbindes silisiumbrikkene med bruk av trådbonding, mens i TSV-pakker blir brikkene slipt ned til noen titalls mikrometer, gjennomhullet med hundrevis av små hull, og deretter forbundet vertikalt med elektroder gjennom hullene. Dette gir en alvorlig økning i signaloverføringen, kan man si.

I tillegg til å utnytte tette brikker og TSV-teknologi, har de nye modulene et spesielt design, der masterbrikken i hver 4GB pakke inneholder en databufferfunksjon som skal optimalisere modulytelsen og strømforbruket.

Med hastigheter på opp til 2.400 megabits per sekund (Mbps), oppnår de nesten dobbelt så høy ytelse som de tidligere trådbondede modulene med høyest ytelse – 64GB LRDIMMs – samtidig som de kutter energiforbruket med 50%. 

Samsung ramper nå opp produksjonen av 20nm 8Gb DRAM brikker for å øke produktiviteten og utvide markedet, og planlegger å lansere moduler med enda høyere ytelse – opptil henholdsvis 2.667Mbps og 3.200Mbps overføringshastighet. De akter også å ta åpne for flere TSV-applikasjoner mot markeder som high bandwidth memory- (HBM) og forbrukerprodukter.