Viser 60A GaN krafttransistor
Under PCIM Asia viser GaN Systems for første gang en 650V/60A krafttransistor I galliumnitrid, egnet bl.a. for høyfrekvens kraftomforming.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
GaN Systems Inc viser nå frem det nyeste tilskuddet til deres E-mode GaN-on-Silicon krafttransistorer. Denne skal være basert på tre kjerneteknologier utviklet av selskapet selv, og den nye komponenten, GS65516T, skal dermed tilby den høyeste strømkapasiteten på markedet med sine 60A.
GS65516T 650V E-mode krafttransistor benytter bl.a. en ny kjølekonfigurasjon på oversiden – en teknologie som først ble lansert i mars i år. Den skal gjøre det mulig å avkjøle komponenten ved hjelp av kjente og konvensjonelle kjølefinner eller viftekjølingsteknikker.
Komponenten er basert på selskapets ultralave FOM Island Technology brikkedesign, pakke i lavinduktans- og termisk effektive GaNPX pakke, og måler 9.0mm x 7.6mm x 0.45mm.
Komponenten har også mulighet for revers strøm, integrert strømsensor og null gjenopprettingstap.
Doble gate-pads skal bidra til å optimere kortutlegg. GS65516T skal egne seg i høyfrekvens, effektive omformerapplikasjoner som innebygde batteriladere, 400V DC-DC omformere, invertere, avbruddsfri strømforsyninger (UPS) og VFD motorstyringer, samt AC-DC kraftforsyninger (PFC og primær) og små VHF effektomformere.
