GaN Systems til Mouser

Det kanadiske selskapet GaN Systems Inc, som utvikler høyeffekt svitsjehalvledere i galliumnitrid, melder at de har inngått en ekslusiv, global distribusjonsavtale med Mouser Electronics.  

Selskapets galliumnitrid (GaN) krafttransistorer er basert på deres egenutviklede Island Technology, og skal tilby betydelige fordeler sammenlignet med tradisjonelle silisium-MOSFETs og IGBTs. Teknologien skal gi mindre, lettere og mer effektiv kraftelektronikk i en rekke applikasjoner, som forbrukerapparater, servere i datasentre, robuste elektriske verktøy, strømforsyninger til bærbare datamaskiner osv. 

Den intellektuelle eiendommen (IP) i Island Technology utnytter det vide båndgapet og  den overlegne svitsjehastigheten, samt temperatur-, spennings- og strømegenskaper som kjennetegner GaN, til å lage en spesiell struktur som optimaliserer utnyttelsen av GaN-skivene i produksjon, og gjør det mulig å produsere transistorer opp til fire ganger mindre og til lavere kostnad en tradisjonelle designmetoder. Selskapet har også utviklet en egen pakketeknologi, GaNPX, uten trådbondinger og med minimal induktans og termisk motstand. 

GaN Systems er trolig det første selskapet som har et noenlunde omfattende produktspekter på markedet, og kan tilby komponenter med strømspesifikasjoner fra 8A til 200A.

De første produktene fra Mouser Electronics er bl.a. GS61008P, en 80A/5mΩ normal-av 100V GaN transistor, og en lavinduktans, termisk effektiv 650V transistor, GS66508P, med mulighet for revers strøm, null revers gjenopprettingsstrøm og kildesensing, for optimale høyhastighets design.